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SI6435

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Vishay Silicon..
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SI6435DQ-T1
SILINX
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SI6435DQ
SI
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SI6435
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TSSOP-8
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SI
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2197
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SI6435
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2023+
4013
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SI6435ADQ-TI
SILICONIX
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SI6435ADQ-T1-GE3
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三极管
2023+
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SI6435DQ-T1
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2023+
5600
SI6435
SILICON
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相关型号： SI6433BDQ-T1-GE3 SI6433BDQ-T1-E3 SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-E3 SI6415DQ-T1-GE3 SI6415DQ-T1-E3

SI6435ADQ-T1-E3
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SI6435ADQ-T1-E3参数：MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.05W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：8-TSSOP

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