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SI6459

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SI6459BDQ 优势库存
VISHAY
TSSOP8
2023+
3022
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SI6459DQ 优势库存
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TSSOP8
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SI6459BDQ-T1-GE3
Vishay Silicon..
8-TSSOP
2023+
500
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SI6459
SI
TSSOP-8
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2538
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SI6459DQ
SI
SSOP8
2023+
26157
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SI6459DQ-T1
SILICONIX
8P
2023+
2596
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SI6459DQ-T1
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TSSOP8
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1620
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SI6459BDQ-T1-GE3
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8-TSSOP
2023+
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SI6459BDQ-T1-GE3
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8-TSSOP（0.17..
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SO-8
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工厂配单，价格优势
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SI6459DQ
VISHAY
全新原装现货
2023+
4500
SI6459BDQ-T1-E3
Vishay
进口原装 库房现货
2023+
5600
相关型号： SI6443DQ-T1-GE3 SI6443DQ-T1-E3 SI6435ADQ-T1-GE3 SI6435ADQ-T1-E3 SI6433BDQ-T1-GE3 SI6433BDQ-T1-E3

SI6459BDQ-T1-E3
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SI6459BDQ-T1-E3参数：MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：115 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：8-TSSOP

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