SI6466ADQ-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：14 毫欧 @ 8.1A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1.05W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装：8-TSSOP
