SI7115DN-T1-GE3参数:MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):150V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8.9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):295 毫欧 @ 4A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):42nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1190pF @ 50V功率 - 最大值:52W安装类型:表面贴装封装:PowerPAK? 1212-8供应商器件封装:PowerPAK? 1212-8