SI7117DN-T1-E3参数:MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:TrenchFET®包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):150V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.17A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 500mA,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):510pF @ 25V功率 - 最大值:12.5W安装类型:表面贴装封装:PowerPAK? 1212-8供应商器件封装:PowerPAK? 1212-8