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SI7404

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SI7404DN 优势库存
VISHAY
QFN8
2023+
19686
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SI7404DN-T1 优势库存
VISHAY
QFN
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SI7404DN-T1-E3
Vishay Silicon..
PowerPAK? 12..
2023+
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SI7404DN-T1-GE3
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SI7404DN-T1-E4
IOR
SOP-8
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SI7404DN-T1-E3
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SI7404DN
SI
QFN1212-8
2023+
6557
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SI7404
SIEMEWS
2003
2023+
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SI7404DN
SILICONIX
QFN8
2023+
10
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SI7404DN-T1-GE3
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PowerPAKreg1..
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SI7404DN-T1-E3
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SI7404D
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SI7404DN-T1
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SI7404DP
SILICONIX
PGA
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SI7404D-YT00
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SI7404DN-T1-ES
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SI7404DN-T1-E3
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2023+
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相关型号： SI7403BDN-T1-GE3 SI7403BDN-T1-E3 SI7402DN-T1-GE3 SI7402DN-T1-E3 SI7392DP-T1-GE3 SI7392DP-T1-E3

SI7404DN-T1-E3
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SI7404DN-T1-E3参数：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 1212-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 13.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? 1212-8
供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8

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