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SI7446

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SI7446BDP 优势库存
VISHAY
QFN8
2023+
8653
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SI7446DP 优势库存
VISHAY
QFN8
2023+
13773
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SILICONIX
QFN
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SI7446 优势库存
SI
CLCC
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SI7446BDP-T1-GE3
Vishay Silicon..
PowerPAK? SO..
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SI7446BDP-T1-E3
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SI7446
SIEMEWS
2003
2023+
187
全新进口原装现货,特价热卖
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SI7446BDP-T1-E3
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SI7446BDP-T1
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SI7446BDP-T1-E4
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SI7446DP
SI
SO-8
2023+
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SI7446DP-T1
VISHAY
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SI7446DP-T1-E3
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QFN8
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品质保证,价格优惠
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SI7446BDP
VISHAY
5
2023+
35
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SI7446DY-T1
SI
SOP
2023+
1302
深圳现货，专业配套
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SI7446BDP-T1-T3
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工厂配单，价格优势
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SI7446/B
VISHAY
BGA
2023+
841
工厂配单，价格优势
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相关型号： SI7445DP-T1-GE3 SI7445DP-T1-E3 SI7440DP-T1-GE3 SI7440DP-T1-E3 SI7439DP-T1-GE3 SI7439DP-T1-E3

SI7446BDP-T1-E3
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SI7446BDP-T1-E3参数：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.5 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3076pF @ 15V
功率 - 最大值：1.9W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? SO-8
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8

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