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SI7469

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SI7469DP 优势库存
VISHAY
QFN8
2023+
8356
全新原厂原装现货
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SI7469DP-T1-E3 优势库存
VISHAY
QFN
2023+
15352
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SI7469DP-T1-GE3
Vishay Silicon..
PowerPAK? SO..
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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SI7469ADP-T1-RE3
Vishay Silicon..
PowerPAK? SO..
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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SI7469DP-T1-E3
Vishay Silicon..
PowerPAK? SO..
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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SI7469DP-T1-E3
VISHAY
QFN
2023+
14478
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SI7469DP-T1-E4
IOR
SOP-8
2023+
81278
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SI7469DP-T1-GE3
Vishay/Silicon..
PowerPAKregS..
2023+
6350
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SI7469DP-T1-E3
Vishay/Silicon..
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2023+
32994
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SI7469DP
VISHAY
QFN
2023+
1328
深圳现货，专业配套
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SI7469
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BGA
2023+
840
工厂配单，价格优势
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SI7469DP-T1-E3
VISHAY
PowerPAK SO-8
2023+
12,000
全新原装，香港现货
SI7469DP-T1-E3
VISHAY
SOIC-8
2023+
5477
绝对原装现货！可出样片！
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SI7469DP-T1-E3
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SI7469DP-T1-E3参数：MOSFET P-CH 80V 28A PPAK 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：80V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：28A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 10.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：160nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4700pF @ 40V
功率 - 最大值：83W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? SO-8
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8

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