SI7540DP-T1-E3参数:MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:3,000系列:TrenchFET®包装:带卷 (TR)FET 类型:N 和 P 沟道FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):12V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.6A,5.7A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 11.8A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-功率 - 最大值:1.4W安装类型:表面贴装封装:PowerPAK? SO-8供应商器件封装:PowerPAK? SO-8