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SI7634B

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SI7634BDP 优势库存
VISHAY
QFN8
2023+
8377
全新原厂原装现货
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SI7634BDP-T1-E3
Vishay Silicon..
PowerPAK? SO..
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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SI7634BDP-T1-GE3
Vishay Silicon..
PowerPAK? SO..
2023+
1244
全新原装进口现货品质保证
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SI7634BDP-T1-GE3
Vishay/Silicon..
PowerPAKregS..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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SI7634BDP-T1-E3
Vishay/Silicon..
PowerPAKregS..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
深圳市迈特新科技有限公司 VIP现货会员
电话：0755-83217923
联系人：李
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SI7634BDP-T1-GE3
Vishay/Silicon..
PowerPAKregS..
2023+
9490
全新进口原装现货品质保证
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SI7634BDP-T1-GE3
VISHAY
QFN-8
2023+
443
只做进口原装现货
SI7634BDP
VISHAY
QFN8
2023+
9800
一级代理/全新原装现货/长..
SI7634B
VISHAY
2023+
2536
￥8现货库存
相关型号： SI7633DP-T1-GE3 SI7629DN-T1-GE3 SI7625DN-T1-GE3 SI7621DN-T1-GE3 SI7620DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3

SI7634BDP-T1-E3
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SI7634BDP-T1-E3参数：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.4 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：68nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3150pF @ 15V
功率 - 最大值：48W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? SO-8
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8

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