SI7655DN-T1-GE3参数：MOSFET P-CH 20V D-S PPAK 1212
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： Si7655DN,?20VP-ChannelMOSFET标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：40A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.6毫欧@20A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：225nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：6600pF@10V功率-最大值：57W安装类型：表面贴装封装：PowerPAK?1212-8供应商器件封装：PowerPAK?1212-8
