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SI7703

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SI7703EDN 优势库存
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QFN8
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8616
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SI7703EDN-T1 优势库存
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QFN
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SI7703EDN-T1-GE3
Vishay Silicon..
PowerPAK? 12..
2023+
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SI7703EDN-T1-E3
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SI7703DN
SI
QFN1212-8
2023+
10123
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SI7703
SIEMEWS
2003
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2104
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SI7703EDN-T1-E3
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SO-8
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5557
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SI7703EDN-T1-E4
IOR
SOP-8
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SI7703EDN-T1-E3
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2023+
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SI7703EDN-T1
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DFN
2023+
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SI7703EDN-T1-GE3
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PowerPAKreg1..
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6350
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SI7703EDN-T1
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SI7703DP
SILICONIX
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PowerPAK1212..
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VISHAY
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2023+
9800
一级代理/全新原装现货/长..
相关型号： SI7686DP-T1-GE3 SI7686DP-T1-E3 SI7682DP-T1-GE3 SI7682DP-T1-E3 SI7674DP-T1-GE3 SI7674DP-T1-E3

SI7703EDN-T1-E3
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SI7703EDN-T1-E3参数：MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：48 毫欧 @ 6.3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 800µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.3W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? 1212-8
供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8

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