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SI7810DN

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SI7810DN 优势库存
VISHAY
QFN8
2023+
15143
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SI7810DN-T1 优势库存
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QFN
2023+
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SI7810DN-T1-E3 优势库存
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SOT-8
2023+
786
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SI7810DN-T1-GE3
Vishay Silicon..
PowerPAK? 12..
2023+
500
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SI7810DN-T1-E3
Vishay Silicon..
PowerPAK? 12..
2023+
2980
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SI7810DN-T1
SI
QFN
2023+
888
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SI7810DN-T1-E3
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PowerPAK1212..
2023+
6558
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SI7810DN-T1-E4
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SOP-8
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SI7810DN-T1-E3
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品质保证,价格优惠
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PowerPAKreg1..
2023+
1250
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SI7810DN-T1-E3
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PowerPAKreg1..
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9350
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QFN1212-8
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2396
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SI7810DN-T1-E
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PAK1212-8
2023+
9000
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相关型号： SI7806ADN-T1-GE3 SI7806ADN-T1-E3 SI7804DN-T1-GE3 SI7804DN-T1-E3 SI7802DN-T1-GE3 SI7802DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3
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SI7810DN-T1-E3参数：MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：62 毫欧 @ 5.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? 1212-8
供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8

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