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SI7840DP-T1

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SI7840DP-T1-E3 优势库存
VISHAY
SO-8
2023+
42350
全新原厂原装现货
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SI7840DP-T1 优势库存
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QFN8
2023+
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原装现货，价格优势
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SI7840DP-T1
VIASIA
QFN
2023+
32557
全新进口原装现货,特价热卖
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SI7840DP-T1-E3
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2002
2023+
2596
全新进口原装现货,特价热卖
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SI7840DP-T1-E4
IOR
SOP-8
2023+
81278
全新进口原装现货,保证质量
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SI7840DP-T1-E3
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SO-8
2023+
39000
品质保证,价格优惠
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SI7840DP-T1
VISHAY
SO-8
2023+
33000
品质保证,价格优惠
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SI7840DP-T1-E3
VISHAY
QFN8
2023+
9860
一级代理/全新现货/长期供..
SI7840DP-T1-E3
VISHAY
进口原装 库房现货
2023+
5600
SI7840DP-T1
SILICONIX
库房现货原装进口
2023+
5600
相关型号： SI7840BDP-T1-GE3 SI7840BDP-T1-E3 SI7820DN-T1-GE3 SI7820DN-T1-E3 SI7818DN-T1-GE3 SI7818DN-T1-E3

SI7840BDP-T1-E3
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SI7840BDP-T1-E3参数：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.5 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? SO-8
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8

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