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SI7858

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SI7858ADP 优势库存
VISHAY
QFN8
2023+
9558
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SI7858ADP-T1-E3 优势库存
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NA
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SI7858ADP-T1-GE3
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PowerPAK? SO..
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2023+
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SI7858DP-T1-E3
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QFN
2023+
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SI7858ADP-T1-E3
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QFN
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2023+
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全新进口原装现货,保证质量
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SI7858DP
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TDSO8
2023+
100
品质保证,价格优惠
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SI7858ADP-T1-GE3
Vishay/Silicon..
PowerPAKregS..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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SI7858ADP-T1-GE3
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15350
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SI7858BDP-T1-GE3
Vishay/Silicon..
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1250
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SI7858ADP
VISHAY
SO-8
2023+
1911
工厂配单，价格优势
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BGA
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1048
工厂配单，价格优势
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4890
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优势现货量大可供实单价可谈
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SI7858DP-T1
SILICONIX
原厂标准封装
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SI7858ADP-T1-E3
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SI7858ADP-T1-E3参数：MOSFET N-CH 12V 20A PPAK 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.6 毫欧 @ 29A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5700pF @ 6V
功率 - 最大值：1.9W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? SO-8
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8

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