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SI7862

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SI7862DP 优势库存
VISHAY
QFN8
2023+
6350
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SI7862ADP 优势库存
VISHAY
QFN8
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7038
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SI7862ADP-T1-E3
Vishay Silicon..
PowerPAK? SO..
2023+
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SI7862ADP-T1-E4
IOR
SOP-8
2023+
81278
全新进口原装现货,保证质量
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SI7862ADP-T1-E3
VISHAY
QFN
2023+
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全新进口原装现货,特价热卖
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2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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SI7862DP-T1-E3
VISHAY
QFN
2023+
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工厂配单，价格优势
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联系人：销售部
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SI7862DP
SI
SO-8
2023+
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深圳现货，专业配套
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SI7862
VISHAY
BGA
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工厂配单，价格优势
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SI7862ADP-T1-GE3
Vishay
PPAKSO-8
2023+
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优势现货量大可供实单价可谈
相关型号： SI7860DP-T1-GE3 SI7860DP-T1-E3 SI7860ADP-T1-GE3 SI7860ADP-T1-E3 SI7858BDP-T1-GE3 SI7858ADP-T1-GE3

SI7862ADP-T1-E3
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SI7862ADP-T1-E3参数：MOSFET N-CH D-S 16V PPAK 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：16V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：18A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3 毫欧 @ 29A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7340pF @ 8V
功率 - 最大值：1.9W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? SO-8
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8

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