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SI7866DP

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SI7866DP-T1 优势库存
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2023+
8356
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SI7866DP 优势库存
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QFN8
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SI7866DP
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2235
品质保证,价格优惠
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SI7866DP-T1-E3
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42557
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SI7866DP-T1
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QFN
2023+
4844
全新进口原装现货,特价热卖
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SI7866DP
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1422
工厂配单，价格优势
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SI7866DP.
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QFN
2023+
60000
全新原装公司现货
SI7866DP
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QFN
2023+
60000
全新原装公司现货
相关型号： SI7866ADP-T1-GE3 SI7866ADP-T1-E3 SI7862ADP-T1-GE3 SI7862ADP-T1-E3 SI7860DP-T1-GE3 SI7860DP-T1-E3

SI7866ADP-T1-E3
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SI7866ADP-T1-E3参数：MOSFET N-CH 20V 40A PPAK 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.4 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：125nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5415pF @ 10V
功率 - 最大值：83W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? SO-8
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8

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