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SI7886DP-T1

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SI7886DP-T1 优势库存
VISHAY
BGA
2023+
4676
原装现货，价格优势
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SI7886DP-T1
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SI7886DP-T1-E4
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SOP-8
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SI7886DP-T1-E3
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QFN
2023+
51731
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SI7886DP-T1(VISHAY)
VISHAY
LLP
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SI7886DP-T1-
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QFN-8
2023+
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相关型号： SI7886ADP-T1-GE3 SI7886ADP-T1-E3 SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-E3 SI7882DP-T1-GE3 SI7882DP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3
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SI7886ADP-T1-E3参数：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6450pF @ 15V
功率 - 最大值：1.9W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? SO-8
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8

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