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SI7888DP

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SI7888DP 优势库存
VISHAY
QFN8
2023+
13406
全新原厂原装现货
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SI7888DP-T1-E3
Vishay Silicon..
PowerPAK? SO..
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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SI7888DP-T1-GE3
Vishay Silicon..
PowerPAK? SO..
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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SI7888DP-T1-E4
IOR
SOP-8
2023+
81278
全新进口原装现货,保证质量
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SI7888DP-T1-E3
VISHAY
QFN
2023+
41235
全新进口原装现货,特价热卖
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SI7888DP-T1
VISHAY
QFN
2023+
5557
全新进口原装现货,特价热卖
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SI7888DP
VISHAY
TDSO8
2023+
400
品质保证,价格优惠
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SI7888DP-T1-GE3
Vishay/Silicon..
PowerPAKregS..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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SI7888DP-T1-E3
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2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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SI7888DP-TI-E3
2023+
3548
全新进口原装现货,保证质量
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SI7888DP-T-E3
VISHAY
SO-8
2023+
1378
全新进口原装现货,保证质量
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SI7888DP
SIL
SOP
2023+
1304
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SI7888DP-T1-E3
SILICONIX
原厂标准封装
2023+
364
原装进口 优势现货 价格最..
SI7888DP-T1
SILICONIX
原厂标准封装
2023+
1827
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相关型号： SI7886ADP-T1-GE3 SI7886ADP-T1-E3 SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-E3 SI7882DP-T1-GE3 SI7882DP-T1-E3

SI7888DP-T1-E3
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SI7888DP-T1-E3参数：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 12.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? SO-8
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8

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