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SI7892B

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SI7892BDP 优势库存
VISHAY
QFN8
2023+
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792
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SI7892BDP-T1-E3 优势库存
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SI7892BDP-T1-E3
Vishay Silicon..
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2023+
6500
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SI7892BDP-T1-GE3
Vishay Silicon..
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2023+
2081
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SI7892BDP-T1-E4
IOR
SOP-8
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SI7892BDP-T1-E3
VISHAY
SO-8
2023+
4278
全新进口原装现货,保证质量
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SI7892B
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QFN
2023+
212
品质保证,价格优惠
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3000
品质保证,价格优惠
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2023+
45350
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SI7892BDP-T1-E3
Vishay/Silicon..
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2023+
9350
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SI7892BDP-T1-GE3
Vishay
PPAKSO-8
2023+
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优势现货量大可供实单价可谈
相关型号： SI7888DP-T1-GE3 SI7888DP-T1-E3 SI7886ADP-T1-GE3 SI7886ADP-T1-E3 SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3
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SI7892BDP-T1-E3参数：MOSFET N-CH 30V 15A PPAK 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.2 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3775pF @ 15V
功率 - 最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? SO-8
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8

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