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SI7904BDN

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SI7904BDN 优势库存
VISHAY
QFN8
2023+
14590
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SI7904BDN-T1-GE3
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2023+
6000
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SI7904BDN-T1-GE3
VISHAY
SO-8
2023+
5557
工厂配单，价格优势
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PowerPAK1212..
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SI7904BDN
SI
QFN1212-8
2023+
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相关型号： SI7901EDN-T1-GE3 SI7901EDN-T1-E3 SI7900AEDN-T1-GE3 SI7900AEDN-T1-E3 SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3
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SI7904BDN-T1-E3参数：MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 7.1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：860pF @ 10V
功率 - 最大值：17.8W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? 1212-8 双
供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8 Dual

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