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SI7913DN

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VISHAY
QFN8
2023+
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SI7913DN-T1-GE3
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PowerPAK? 12..
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SI7913DN
SI
QFN1212-8
2023+
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PowerPAK1212..
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相关型号： SI7911DN-T1-GE3 SI7911DN-T1-E3 SI7909DN-T1-GE3 SI7909DN-T1-E3 SI7905DN-T1-GE3 SI7905DN-T1-E3

SI7913DN-T1-E3
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SI7913DN-T1-E3参数：MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.3W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? 1212-8 双
供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8 Dual

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