SI7923DN-T1-GE3参数:MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:3,000系列:TrenchFET®包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 P 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):47 毫欧 @ 6.4A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-功率 - 最大值:1.3W安装类型:表面贴装封装:PowerPAK? 1212-8 双供应商器件封装:PowerPAK? 1212-8 Dual