SI7980DP-T1-E3参数：MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1010pF @ 10V功率 - 最大值：19.8W，21.9W安装类型：表面贴装封装：PowerPAK? SO-8 双供应商器件封装：PowerPAK? SO-8 Dual
VISHAYQFN2023+403全新进口原装现货，即时发货
