SI7994DP-T1-GE3参数:MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.6 毫欧 @ 20A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3500pF @ 15V功率 - 最大值:3.5W安装类型:表面贴装封装:PowerPAK? SO-8供应商器件封装:PowerPAK? SO-8