SI7998DP-T1-GE3参数:MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:3,000系列:TrenchFET®包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):25A,30A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9.3 毫欧 @ 15A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 15V功率 - 最大值:22W,40W安装类型:表面贴装封装:PowerPAK? SO-8 双供应商器件封装:PowerPAK? SO-8 Dual