SI8404DB-T1-E1参数:MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:TrenchFET®包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):8V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12.2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):31 毫欧 @ 1A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1950pF @ 4V功率 - 最大值:6.25W安装类型:表面贴装封装:4-XFBGA,CSPBGA供应商器件封装:4-Microfoot