SI8416DB-T1-GE3参数:MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:TrenchFET®包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,1.2V 驱动漏源极电压 (Vdss):8V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):16A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 1.5A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):800mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1470pF @ 4V功率 - 最大值:13W安装类型:表面贴装封装:6-UFBGA供应商器件封装:6-microfoot