SI8424CDB-T1-E1参数：MOSFET N-CHAN 8V D-S MICROFOOT
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： N-Channel8V(D-S)MOSFETs标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.2V驱动漏源极电压(Vdss)：8V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@2A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：800mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：40nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2340pF@4V功率-最大值：1.1W安装类型：表面贴装封装：4-UFBGA，WLCSP供应商器件封装：4-Microfoot
