SI8424DB-T1-E1参数:MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP
类别:分立半导体产品-FET - 单特色产品: MOSFETsDesignedforOn-ResistanceRatingsat1.2V标准包装:3,000系列:TrenchFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平栅极,1.2V驱动漏源极电压(Vdss):8V电流-连续漏极(Id)(25°C时):12.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):31毫欧@1A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):33nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1950pF@4V功率-最大值:6.25W安装类型:表面贴装封装:4-XFBGA,CSPBGA供应商器件封装:4-Microfoot