SI8439DB-T1-E1参数：MOSFET P-CH 8V D-S MICROFOOT
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动漏源极电压 (Vdss)：8V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：-不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 1.5A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安装类型：表面贴装封装：4-UFBGA供应商器件封装：4-Microfoot
