SI8487DB-T1-E1参数:MOSFET P-CH 30V (D-S) MICROFOOT
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:TrenchFET®包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):-不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):31 毫欧 @ 2A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2240pF @ 15V功率 - 最大值:-安装类型:表面贴装封装:4-UFBGA供应商器件封装:4-Microfoot