SI8800EDB-T2-E1参数：MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：-不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 1A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.3nC @ 8V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：4-XFBGA，CSPBGA供应商器件封装：4-Microfoot
