SI8810EDB-T2-E1参数：MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：72 毫欧 @ 1A， 4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8nC @ 8V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：245pF @ 10V功率 - 最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：4-XFBGA供应商器件封装：4-Microfoot
