SI8900EDB-T2-E1参数：MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X5 10-MFP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 1A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1.1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1W安装类型：表面贴装封装：10-UFBGA，CSPBGA供应商器件封装：10-Micro Foot?（2x5）
