SIA416DJ-T1-GE3参数:MOSFET N-CH 100V D-S SC70-6L
类别:分立半导体产品-FET - 单特色产品: 100VTrenchFET?PowerMOSFETs标准包装:3,000系列:TrenchFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):11.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):83毫欧@3.2A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):10nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):295pF@50V功率-最大值:19W安装类型:表面贴装封装:PowerPAK?SC-70-6供应商器件封装:PowerPAK?SC-70-6单