SIA917DJ-T1-GE3参数:MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6
类别:分立半导体产品-FET - 阵列特色产品: PowerMOSFETsinPowerPAK?SC-70Package标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:2个P沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):110毫欧@2.5A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):9nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):250pF@10V功率-最大值:1.9W安装类型:表面贴装封装:PowerPAK?SC-70-6双供应商器件封装:PowerPAK?SC-70-6双