SIB415DK-T1-GE3参数:MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):87 毫欧 @ 4.17A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.05nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):295pF @ 15V功率 - 最大值:13W安装类型:表面贴装封装:PowerPAK? SC-75-6L供应商器件封装:PowerPAK? SC-75-6L 单