SIE808DF-T1-E3参数:MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单特色产品: PolarPAK?PowerMOSFETs标准包装:3,000系列:TrenchFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):60A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):1.6欧姆@25A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):155nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):8800pF@10V功率-最大值:125W安装类型:表面贴装封装:10-PolarPAK?(L)供应商器件封装:10-PolarPAK?(L)