SIE832DF-T1-E3参数:MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单特色产品: PolarPAK?PowerMOSFETs标准包装:3,000系列:TrenchFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):40V电流-连续漏极(Id)(25°C时):50A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):5.5毫欧@14A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):77nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):3800pF@20V功率-最大值:104W安装类型:表面贴装封装:10-PolarPAK?(S)供应商器件封装:10-PolarPAK?(S)