SIR428DP-T1-GE3参数:MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:TrenchFET®包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):30A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 10A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):32nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1117pF @ 15V功率 - 最大值:22.7W安装类型:表面贴装封装:PowerPAK? SO-8供应商器件封装:PowerPAK? SO-8