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SIR496DP-T1-GE3

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SIR496DP-T1-GE3
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SIR496DP-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： N-ChannelTrenchFET?GenIIIPowerMOSFETswithTurboFET?
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：35A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.2毫欧@20A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：42nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1570pF@10V
功率-最大值：27.7W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK?SO-8
供应商器件封装：PowerPAK?SO-8

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