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SIR866DP-T1-GE3

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SIR866DP-T1-GE3 优势库存
VISHAY
QFN8
2023+
8350
全新原厂原装现货
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SIR866DP-T1-GE3
Vishay Silicon..
PowerPAK? SO..
2023+
500
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Vishay/Silicon..
PowerPAKregS..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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Vishay/Silicon..
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2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
深圳市迈特新科技有限公司 VIP现货会员
电话：0755-83217923
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SIR866DP-T1-GE3
Vishay
PPAKSO-8
2023+
376
优势现货量大可供实单价可谈
相关型号： SIR862DP-T1-GE3 SIR850DP-T1-GE3 SIR846DP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 SIR844DP-T1-GE3 SIR840DP-T1-GE3

SIR866DP-T1-GE3
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SIR866DP-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 20V 60A PPAK 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： N-ChannelTrenchFET?GenIIIPowerMOSFETs
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：60A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.9毫欧@20A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：107nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4730pF@10V
功率-最大值：83W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK?SO-8
供应商器件封装：PowerPAK?SO-8

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