SIR880DP-T1-GE3参数:MOSFET N-CH D-S 80V 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单特色产品: ThunderFET?标准包装:3,000系列:TrenchFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):80V电流-连续漏极(Id)(25°C时):60A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):5.9毫欧@20A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.8V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):74nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):2440pF@40V功率-最大值:104W安装类型:表面贴装封装:PowerPAK?SO-8供应商器件封装:PowerPAK?SO-8