SIRA18DP-T1-GE3参数：MOSFET N-CHAN 30V D-S SO-8
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET?Gen IV包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：33A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.5 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1000pF @ 15V功率 - 最大值：14.7W安装类型：表面贴装封装：PowerPAK? SO-8供应商器件封装：PowerPAK? SO-8
