SIS302E

SIS322DNT-T1-GE3
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SIS322DNT-T1-GE3参数：MOSFET N CH 30V 38.3A 1212-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET?Gen IV
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：38.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1000pF @ 15V
功率 - 最大值：19.8W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK 1212-8
供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8