SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3
PDF资料下载

SIS412DN-T1-GE3参数：MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 7.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：435pF @ 15V
功率 - 最大值：15.6W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? 1212-8
供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8