SIS436DN-T1-GE3参数：MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 1212-8
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：16A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：10.5 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：855pF @ 10V功率 - 最大值：27.7W安装类型：表面贴装封装：PowerPAK? 1212-8供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8
