SIS892DN-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 100V 1212-8 PPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： ThunderFET?标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：29毫欧@10A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：21.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：611pF@50V功率-最大值：52W安装类型：表面贴装封装：PowerPAK?1212-8供应商器件封装：PowerPAK?1212-8
