SIZ920DT-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 30V D-S DUAL PWRPAIR
类别：分立半导体产品-FET - 阵列特色产品： PowerPAIR?标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷(TR)FET类型：2个N通道（半桥）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：22A，32A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7.1毫欧@18.9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：35nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1260pF@15V功率-最大值：4.3W，5.2W安装类型：表面贴装封装：6-PowerPair?供应商器件封装：6-PowerPair?
